下载通过压力缓降生长改进的LED的p-GaN层的技术资料

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本发明涉及一种装置。该装置包括光子管芯结构,光子管芯结构包括发光二极管(LED)管芯。在一些实施例中LED管芯是垂直LED管芯。LED管芯包括衬底。p掺杂III-V族化合物层和n掺杂III-V族化合物层每个都设置在衬底上方。多量子阱(MQW...
该专利属于台积固态照明股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台积固态照明股份有限公司授权不得商用。

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