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本发明公开了一种用于GaN生长的复合衬底的制备方法。先在蓝宝石衬底上生长GaN单晶外延层，然后将该GaN外延片通过环氧类快干胶粘结到临时衬底上，激光剥离蓝宝石衬底，再将临时衬底上的GaN外延片与一导热导电衬底键合在一起，临时衬底脱落，得到镓...
该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。

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