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本发明公开了一种实现选择性发射极的方法，包括以下步骤：对硅片整面进行第一次注入；在所述硅片上方设置具有镂空图案的挡板，透过所述挡板对所述硅片进行二次注入。采用本发明的方法，可以显著提高离子注入形成的选择性发射极的质量，进而提高后续工艺中制造...
该专利属于浙江正泰太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江正泰太阳能科技有限公司授权不得商用。

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