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本发明公开了一种用于室温的氨敏传感器元件的制备方法，采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅，再将其置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，采用金属铂作为靶材，以氩气作为工作气体，在多孔硅表面沉积铂电极，制成氨敏传感器元件。本发明的多孔硅氨敏传感器元件...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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