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本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种采用改进的坩埚下降法生长大尺寸异型氟化钡闪烁晶体的技术，其特征是采用异型石墨坩埚进行生长，可直接制备出不同实际需要的高质量、大尺寸的异型氟化钡晶体。利用本发明方法可以有效缩短大尺寸晶体的生长周期，提高晶体...
该专利属于北京首量科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京首量科技有限公司授权不得商用。

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