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公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括：在工件的沟槽内形成电容器，电容器包括底部电极、设置在底部电极上方的介电层和设置在介电层上方的顶部电极。保护层形成在电容器的上方。形成电容器和形成保护层包括：优化沟槽的宽...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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