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本发明揭示在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件，且所述单片集成可包含以不同的硅层厚度在单一CMOS晶片上制造光子和电子装置。可利用块体CMOS工艺在绝缘体上半导体（SOI）晶片上且/或利用SOI?CMOS工艺在SOI晶片上制造所述装置...
该专利属于乐仕特拉公司所有，仅供学习研究参考，未经过乐仕特拉公司授权不得商用。

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