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本发明公开了一种用于制造半导体元件的方法及场效应半导体元件。该方法包括提供半导体本体，该半导体本体具有第一表面，并且由延伸至第一表面的第一半导体材料构成。至少一个沟槽从第一表面延伸到半导体本体中，并且包括与半导体本体绝缘且布置在第一表面下方...
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