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一种方法包括:在第一半导体鳍状件上形成包括栅电极的栅极堆叠件。栅电极包括位于第一半导体鳍状件的中部上方并且与其对准的部分。第二半导体鳍状件位于栅电极的一侧上,并且不延伸到栅电极下方。第一和第二半导体鳍状件相互间隔开并且相互平行。第一半导体鳍...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种方法包括:在第一半导体鳍状件上形成包括栅电极的栅极堆叠件。栅电极包括位于第一半导体鳍状件的中部上方并且与其对准的部分。第二半导体鳍状件位于栅电极的一侧上,并且不延伸到栅电极下方。第一和第二半导体鳍状件相互间隔开并且相互平行。第一半导体鳍...