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本实用新型提供了一种半导体结构，包括SOI衬底、栅极结构、金属侧墙、介质层和接触塞，其中：所述SOI衬底包括SOI层和BOX层；所述栅极结构形成在所述SOI层之上；所述金属侧墙形成在所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内，该金属侧墙与所述栅极结...该专利属于中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。