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一种用于在在先层上对准在后层的方法,所述在先层包括封装在介电材料中的金属特征结构或通孔,所述方法包括以下步骤:将所述介电材料减薄并平坦化,以产生介电材料的光滑表面以及使所述通孔柱的暴露端部共平面;将所述光滑表面成像;区分出至少一个金属特征结...该专利属于珠海越亚封装基板技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海越亚封装基板技术股份有限公司授权不得商用。
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一种用于在在先层上对准在后层的方法,所述在先层包括封装在介电材料中的金属特征结构或通孔,所述方法包括以下步骤:将所述介电材料减薄并平坦化,以产生介电材料的光滑表面以及使所述通孔柱的暴露端部共平面;将所述光滑表面成像;区分出至少一个金属特征结...