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本发明属于薄膜涂覆技术领域，尤其涉及一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法。本发明的技术方案为：一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，包括如下四个步骤：1）CdTe碱性前躯体沉积溶液的配制；2）沉积基底的清洗及处理；3）CdTe薄膜的...
该专利属于济南大学;北京恒基伟业投资发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南大学;北京恒基伟业投资发展有限公司授权不得商用。

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