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本发明提供一种用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法，其中用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，包括：一硅片；一第一二氧化硅层，其制作在硅片的正面；一第二二氧化硅层，其制作在硅片的背面；一第一金属化层，其制作在第一二氧化硅层上，该第...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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