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本发明公开了一种用于生长高质量SiC晶体的籽晶处理方法。该籽晶处理方法包括：在籽晶生长面的反面即籽晶背面通过磁控溅射、热蒸发等方法形成金属膜层，该金属膜层再经过热处理形成致密的金属化合物致密膜层。该金属化合物致密膜层在生长温度下稳定而且致密...
该专利属于北京有色金属研究总院所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院授权不得商用。

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