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一种具有底部源极的功率MOSFET器件及其制作方法，在晶片正面形成有相绝缘的栅极和源极。该源极上电镀有源极凸块；由塑封体包封栅极，以及源极和源极凸块与栅极之间的第一绝缘层；源极金属层形成在源极凸块暴露的表面上，构成源极与外部器件电性连接的区...
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