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本发明公开了一种深沟槽拐角钝化改善的方法，包括步骤：1)在硅基板上成长一层硬质掩膜板基材，并形成光刻图案；2)刻蚀形成硬质掩膜板图案；3)刻蚀形成深沟槽；4)将硬质掩膜板向两侧刻蚀；5)去除深沟槽顶部尖角；6)去除硬质掩膜板。本发明能实现深...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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