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本发明公开了一种半导体激光器，包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层，所述上波导层和所述下波导层均为铝镓铟磷材料，激射波长在630nm～640nm，且所述...
该专利属于西安卓铭光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安卓铭光电科技有限公司授权不得商用。

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