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本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管的制造方法，包括步骤：在PNP区域的N型基区的离子注入完成后，利用P型阱光刻掩膜进行硅离子注入，使PNP三极管的基区的硅表面的晶格结构被破坏。在NPN区域的N型集电区形成后，在NPN...
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