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本发明涉及一种发光二极管外延结构，包括依次设有的衬底层、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、嵌入多量子阱层中的分隔层或延伸至多量子阱层中的n型氮化镓层、以及p型氮化镓层，其中，所述多量子阱层包括交替排列的量子垒与量子阱，所述多量...
该专利属于武汉迪源光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉迪源光电科技有限公司授权不得商用。

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