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一种带隙基准电路，包括：基准电路，所述基准电路包括两个双极型晶体管，用于根据两个双极型晶体管基极-发射极电压的差值产生具有正温度系数的第一基准电压；偏置电路，用于为所述基准电路提供偏置电流，所述偏置电路包括第三NMOS晶体管，所述第三NMO...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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