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本发明涉及曲面结构电场式时栅角位移传感器的制造方法，具体为一种曲面结构电场式时栅角位移传感器微纳制造方法，包括测头基体制造方法和定尺基体制造方法，本发明采用微纳工艺制造曲面结构电场式时栅角位移传感器，解决了现有曲面结构电场式时栅角位移传感器...
该专利属于中北大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学授权不得商用。

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