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本申请公开了一种量子阱红外探测器的制作方法,通过引入自对准工艺,完成探测器芯片的上电极制备与台面制备。其制作方法包括以下步骤:1、光栅光刻与刻蚀;2、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属上电极;3、利用上电极金属作为掩膜,刻蚀形成台面;4、钝...该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。
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本申请公开了一种量子阱红外探测器的制作方法,通过引入自对准工艺,完成探测器芯片的上电极制备与台面制备。其制作方法包括以下步骤:1、光栅光刻与刻蚀;2、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属上电极;3、利用上电极金属作为掩膜,刻蚀形成台面;4、钝...