温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种SRAM单元及其制作方法。该SRAM单元包括：衬底；以及在衬底上形成的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中所述第一FinFET包括在衬底上设置的半导体层中接于半导体层形成的第一鳍片，所述第二FinFE...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。