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文档序号:8442177
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本实用新型公开了一种延迟电路。该延迟电路的第一PMOS晶体管(P1)的源极连接至输入端(Vin),栅极和漏极通过电阻(R)接地(GND);第一CMOS反相器(11)、第二CMOS反相器(12)、第一施密特反相器(SD1)、第三CMOS反相器...
该专利属于郑州单点科技软件有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过郑州单点科技软件有限公司授权不得商用。
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