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本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法，该种制作方法在现有技术的制作工艺中，在硅纳米线上沉积覆盖了一层无定形碳层，利用无定形碳层的灰化特性和回流特性，对硅纳米线器件干法释放时进行灰化工艺，干法释放后的硅纳米线器件的硅纳米线...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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