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本发明提供一种嵌入逻辑电路的分离栅极式快闪存储器的制作方法，与单独的分离栅极式快闪存储器形成方法相比，只需再经过一次氧化硅淀积、一次多晶硅淀积、二次蚀刻、一次去除氧化硅层五个工艺即可在一块集成电路上同时制作分离栅极式快闪存储器、高压晶体管、...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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