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化合物半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:8387977
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本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括:衬底;布置在所述衬底之上的GaN化合物半导体多层结构;以及基于AlN的并且布置在所述衬底与所述GaN化合物半导体多层结构之间的应力消除层,其中所述应力消除层的与所述GaN化合...
该专利属于富士通株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士通株式会社授权不得商用。
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