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本发明提供的一种提高刻蚀不足缺陷抓取率的方法，包括扫描晶圆的对比铜连接孔、连接孔边缘和背景的像素大小和灰阶，并按像素从大到小确定背景区域、对比铜连接孔区域和连接孔边缘区域；扫描晶圆的刻蚀不足铜连接孔的灰阶；比较对比铜连接孔区域的灰阶与刻蚀不...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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