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本发明提供了一种多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器。在衬底上沉积第一多晶硅层；在第一多晶硅层上沉积氮化硅层，并对氮化硅层进行刻蚀以在氮化硅层中形成第一凹陷部和第二凹陷部，从而将氮化硅层分成三部分；在氮化硅层上沉积隔离物层以及第二多晶...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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