下载以预合金靶进行一次溅镀方式制作半导体化合物薄膜层方法的技术资料

文档序号:8324837

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本发明系提出一种以IB-IIB-IVA形成预合金靶材(预合金:将靶材元素选自至少一种以上之元素与靶材其他元素组合形成预合金),利用此单一预合金靶材制作前驱膜层,避免因多步骤溅镀时需使用较多的靶材,大幅降低靶材损耗与增加靶材使用率;并以一次溅...
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