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本发明涉及非晶纳米晶合金薄带制造领域，特别涉及一种具有成分梯度的非晶合金带材及其制造方法。该非晶合金带材从表面向内部的0~200nm深度范围内，成分梯度元素含量逐渐减少；其中，成分梯度元素为[B]、[C]、[N]、[Si]、[P]、[S]中...
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