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本发明涉及一种采用金属硅化物的功率半导体器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区；所述第一导电类型漂移区正面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶栅；在所述第二导电类型基...
该专利属于江苏物联网研究发展中心所有，仅供学习研究参考，未经过江苏物联网研究发展中心授权不得商用。

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