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第1个本发明的有机半导体膜（10），相对的两个表面侧（11、12）的电荷迁移率之比｛（电荷迁移率大的表面侧的电荷迁移率）/（电荷迁移率小的表面侧的电荷迁移率）｝的值为1以上且小于10，而且将在硅晶片上通过旋涂制作的相同厚度及材料的有机半导体...
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