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本发明披露了一种高压半导体元件，包括基底；第一导电型井设于该基底中；第一第二导电型掺杂区设于该第一导电型井中；第一隔离结构设于该第一导电型井中并环绕该第一第二导电型掺杂区；以及第一第二导电型漂移环设于该第一第二导电型掺杂区及该第一隔离结构之...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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