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本发明公开了一种超级结器件，在电流流动区和终端保护结构中一个以上P型薄层的底部穿透N型硅外延层并和N+硅基片接触；各P型薄层中至少一部分由填充于沟槽中的P型硅组成；各P型薄层中，填充于沟槽中的P型硅的杂质浓度在纵向方向上至少有两种值，各P型...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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