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一种晶体硅太阳电池制备PN结的方法技术
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文档序号:8191700
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本发明涉及晶体硅太阳能电池领域,具体的说,是一种在P型硅硅片上制备新型高效,低成本,大面积PN结的方法。本发明结合管式扩散炉和隧道炉的优点,创新式地在涂覆工艺之后,扩散之前添加一道预热处理工艺,将扩散源先固化在硅片上,再将硅片水平装入装片盒...
该专利属于常州大学所有,仅供学习研究参考,未经过常州大学授权不得商用。
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