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本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(4...
该专利属于索尼公司;国立大学法人东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司;国立大学法人东北大学授权不得商用。

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