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本申请公开了一种n型半导体器件及其制造方法。该器件的结构包括：半导体衬底；沟道区，位于所述半导体衬底上；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括栅介质层和栅电极，所述栅介质层位于所述沟道区上，所述栅电极位于栅介质层上；源/漏区，位于所述沟道...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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