下载半导体器件的形成方法的技术资料

文档序号:8162472

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件的形成方法,包括:提供衬底;在所述衬底表面形成栅极结构,及位于所述栅极结构两侧的侧墙;形成位于所述侧墙两侧衬底内的源区和漏区;去除部分侧墙,剩余在所述栅极结构两侧的侧墙为保留侧墙,所述保留侧墙的厚度范围为5nm~30nm;在衬...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。