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一种存储器、存储阵列的编程控制方法及装置，所述存储阵列中，同一列的存储单元共用一条位线，同一行的存储单元共用一条字线，每两行存储单元共用一条源线；所述编程控制方法包括：施加字线编程电压至与目标存储单元连接的字线，施加0V电压至与所述目标存储...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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