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本发明涉及一种圆片级LED封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。本发明的硅基载体（2）的正面通过光刻、刻蚀的方法形成下凹的型腔（21），利用光刻、刻蚀的方法成形的硅孤岛（22）与型腔（21）的底部跨接，并与倒装在型腔（21）底部的LED芯片...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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