温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种三多晶应变SiGe?BiCMOS集成器件及制备方法,首先制备SOI衬底，刻蚀双极器件区域，在该区域制备三多晶SiGe?HBT器件，接着光刻MOS有源区，在该区域连续生长Si缓冲层、应变SiGe层、本征Si层，分别形成NMOS...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。