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本发明关于一种半导体覆晶接合结构及方法。该半导体覆晶接合结构包括一第一半导体元件、一第一介金属化合物、一第二半导体元件、一第二介金属化合物及一焊料层。该第一介金属化合物邻接于该第一半导体元件的金属柱。该第二介金属化合物邻接于该第二半导体元件...
该专利属于日月光半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日月光半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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