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本发明公开了一种超薄真空密封MEMS晶圆的加工方法，其包括对衬底层晶圆进行刻蚀生成下腔体；将结构层与衬底进行阳极键合；将结构层减薄至设计的厚度；在结构层晶圆表面制备金属图形，该金属图形至少包括一PAD区域；在结构层刻蚀出运动结构；在一密封帽...
该专利属于深迪半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深迪半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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