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一种快恢复二极管芯片的制备方法技术
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文档序号:7996811
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一种快恢复二极管芯片制备方法,涉及一种半导体器件的制造技术领域,本发明中包括如下工艺步骤:硅片清洗、氧化、一次扩散、二次清洗、二次扩散、三次清洗、三次扩散、氧化、背面半导体复合中心杂质引入、一次光刻、台面成型、玻璃钝化、二次光刻、正面镀膜、...
该专利属于南通明芯微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南通明芯微电子有限公司授权不得商用。
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