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本实用新型涉及一种半导体器件，特别是一种基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管，包括依次设置的下电极、衬底、下分离限制层、下波导层、有源层、上波导层、上分离限制层、盖层、介质膜层、上电极构成，其特征在于：所述有源层为量子点和量子阱材料...
该专利属于苏辉所有，仅供学习研究参考，未经过苏辉授权不得商用。

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