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本发明公开一种多晶硅层的制造方法。本发明的一实施例涉及的多晶硅层（22）的制造方法，其特征为，使非晶硅层（20）和金属混合层（30）接触之后，对非晶硅层（20）进行晶化热处理，从而制造多晶硅层（22）。根据本发明，能够提供导入少量金属催化剂...
该专利属于泰拉半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过泰拉半导体株式会社授权不得商用。

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