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一种联合封装的功率半导体器件，将翻转的低端MOSFET芯片的顶部源极，电性连接在芯片基座顶面上；第一金属连接板，将高端MOSFET芯片的底部漏极或其翻转后的顶部源极，与低端MOSFET芯片的底部漏极形成电性连接；高端MOSFET芯片上堆叠有...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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