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本发明涉及一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括上电极和下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的功能层薄膜，所述功能层薄膜为钛铝氧化物TiAlOx。本发明具有忆阻器特性的半导体器件具有与忆阻器相似的特性，结构简单，可...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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