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本发明属于LED芯片的制造技术领域，一种取代二、三元系芯片的四元系芯片的制作方法，（1）在所述GaAs基板上磊晶，形成磊晶层，作为芯片的PN接面；（2）将所述GaAs基板的负极面进行研磨减薄；（3）在研磨减薄后的所述GaAs基板的负极面沉积...
该专利属于东莞洲磊电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞洲磊电子有限公司授权不得商用。

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